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            1. 產品展示PRODUCTS

              您當前的位置:首頁 > 產品展示 > 銦鎵砷短波焦平面探測器 > CLPT320×256InGaAs探測器 > FPA-320&amp;amp;amp;#215;256-C短波紅外InGaAs探測器

              短波紅外InGaAs探測器

              CLPT320&amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;#215;256短波紅外InGaAs探測器的響應波段為900-1700nm/2200nm,320x256分辨率,采用LCC或Kovar氣密封裝,非制冷與制冷可選。
              產品時間:2020-05-22
              訪問量:810
               

                中華立鼎光電是一家研發、生產高品質InGaAs短波探測器的公司,其產品從點元探測器到面陣探測器,質量可靠,價格合理,得到世界客戶的廣泛認可和應用。在國內的戰略合作伙伴——西安立鼎光電負責該公司大陸地區全線產品的市場推廣和技術支持。

                短波紅外InGaAs探測器的響應波段為900-1700nm/2200nm,目前可提供320x256和640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合,同時采用LCC及Kovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。

              產品特點

              1.大感光面                 

              2.高響應率                   

              3.高靈敏度         

              4.高阻抗

              5.低暗電流                  

              6.高動態范圍

              短波紅外InGaAs探測器參數表

              型號

              FPA-320×256-C

              FPA-320×256-K-TE1/TE2

              FPA-320×256-K-2.2-TE2

              材料

              InGaAs

              InGaAs

              InGaAs

              響應波段

              0.9um-1.7um

              0.9um-1.7um

              1.2um-2.2um

              圖像分辨率

              320×256

              320×256

              320×256

              像元尺寸

              30um

              30um

              30um

              靶面尺寸

              9.6mm×7.68mm

              9.6mm×7.68mm

              9.6mm×7.68mm

              封裝

              44-pin CLCC

              28-pin MDIP

              28-pin MDIP

              重量

              1.6g

              24.6g/25.6g

              24.6g

              有效像元率

              >99.5%

              >99%

              >97%

              暗電流

              <0.4pA

              ≤0.4pA

              ≤10pA

              量子效率

              ≥70%

              ≥70%

              ≥70%

              填充率

              >99%

              >99%

              >99%

              串擾

              <1%

              <1%

              /

              探測率

              ≥5×1012J

              ≥5×1012J (TE1)

              ≥7.5×1012J(TE2)

              ≥1×1012J

              響應非均勻性

              ≤10%

              ≤10%

              ≤40%

              非線性(大偏差)

              ≤2%

              ≤2%

              ≤2%

              大像素率

              10MHz

              10MHz

              10MHz

              增益

              High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-

              High:13.3uV/e-

              Low:0.7 uV/e-

              High:13.3uV/e-

              Low:0.7 uV/e-

              滿阱容量

              High:170Ke- Low:3.5Me-

              High:170Ke- Low:3.5Me-

              High:170Ke- Low:3.5Me-

              TEC 制冷

              TE1/TE2

              TE1/TE2

              工作溫度

              -20℃—85℃

              -20℃—85℃

              -20℃—85℃

              儲存溫度

              -40℃—85℃

              -40℃—85℃

              -40℃—85℃

              功耗

              175mw

              175mw**

              175mw**

              **不帶制冷

              產品應用

              1.邊海防監控     
              2.太陽能電池檢查                 
              3.半導體檢測               
              4.激光光斑檢測
              5.高光譜成像                 
              6.醫療OCT成像                    
              7.輔助駕駛視覺增強         
              8.森林防火  

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                                       GEN3                        SWIR

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                                     Visible                                                    SWIR

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                                    Visible                                                    SWIR

               

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