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            1. 產品展示PRODUCTS

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              vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器(0.5um-11um)

              vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器(0.5um-11um)波蘭VIGO公司是生產紅外探測器及配套偏置和前置放大電路的專業公司,該公司生產的紅外探測器,分制冷型(低溫工作)和非制冷型(室溫工作)兩大類,其中包括70多種型號。VIGO紅外探測器符合ISO9000標準質量體系,被廣泛用于激光預警、紅外探測與監控、輻射測溫、激光跟蹤與定位、激光識別、計量和光通訊等的研究與開發。
              產品時間:2016-08-25
              訪問量:484

              vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器(0.5um-11um)

              非制冷光電探測器

              1、PV系列(2-12μm紅外光電探測器)

               

                特點:室溫下工作;無需偏置;響應時間短;無閃動噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動態范圍寬;低成本;可根據客戶要求設計。

                描述:PV-n(n表示*特性波長,單位是微米)系列的光電探測器是紅外光電探測器,這些裝置在2~11µm范圍內的任意值可以達到*的性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的變隙半導體HgCdZnTe優化摻雜面和改進的表面處理來獲得??梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器(不帶視窗)封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。

              詳細規格:

              特性@ 20ºC

              單位

              PV-3         

              PV-4         

              PV-5

              PV-6

              PV-8

              *特性波長λop

              μm

              3

              4

              5

              6

              8

              探測率:

              at λpeak

              at λop

              cmHz1/2/W

               

               

              ≥8?109

              ≥5?109

               

              ≥1.5?109

              ≥1?109

               

              ≥8?108

              ≥5?108

               

              ≥4?108

              ≥2?108

               

              ≥8?107

              ≥4?107

              響應度

              A/W

              ≥1.2

              ≥1.2

              ≥1.2

              ≥1

              ≥0.5

              響應時間τ

              ns

              ≤15 **

              ≤15**

              ≤15**

              ≤12**

              ≤7**

              并聯電阻-光學面積

              Ω·cm 2

              ≥0.05

              ≥0.01

              ≥0.003

              ≥0.001

              ≥0.0002

              光學面積 ×

              或直徑  (園形)

              mm x mm

              mm

              0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

              ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3

              工作溫度

              K

              300

              視場, F#

              deg

              60, 0.5

              2、PVI系列(2-12μm紅外光電探測器、光侵入式)

              特點:室溫下工作;無需偏置;響應時間短;無閃動噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動態范圍寬;低成本;可根據客戶要求設計。

                描述:PVI-n(n表示*特性波長,單位是微米)系列探測器是紅外光電探測器,使用用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過半球透鏡(標準)或者半球透鏡(可選)進行光入。這些裝置在2~11µm范圍內的任意值可以達到*的性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的變隙半導體HgCdZnTe優化摻雜面和改進的表面處理來獲得??梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器(不帶視窗)封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。vigo室溫碲鎘汞HgCdTe光電探測器(0.5um-11um)

              詳細規格:

              特性@ 20ºC

              單位

              PVI-3

              PVI-4

              PVI-5

              PVI-6

              PVI-8

              *特性波長λop

              μm

              3

              4

              5

              6

              8

              探測率:

              at λpeak

              at λop

              cmHz1/2/W

               

              ≥2E10

              ≥1.5E10

               

              ≥6E9

              ≥4E9

               

              ≥3E9

              ≥2E9

               

              ≥2E9

              ≥1E9

               

              ≥3E9

              ≥1.5E8

              響應度

              A/W

              ≥1.2

              ≥1.3

              ≥1.3

              ≥1.2

              ≥1

              響應時間τ

              ns

              ≤15**

              ≤15**

              ≤15**

              ≤12**

              ≤7**

              并聯電阻-光學面積

              Ω·cm 2

              ≥5

              ≥1

              ≥0.3

              ≥0.1

              ≥0.02

              光學面積×

              或直徑  (圓形)

              mm x mm

               mm

              0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

              ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3

              工作溫度

              K

              300

              視場, F#

              deg

              35, 1.65

              3、PVM系列(2-12μm紅外光電探測器、倍增結構

               

              特點:室溫下工作;無需偏置;響應時間短;無閃動噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動態范圍寬;低成本;可根據客戶要求設計。

                描述:PVM-n(n表示*特性波長,單位是微米)系列的光電探測器是多重異質結紅外光電探測器,這些裝置專門用于大范圍內的探測,工作在8~12µm的范圍。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的變隙半導體HgCdZnTe優化摻雜面和改進的表面處理來獲得??梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器(不帶視窗)封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。

              詳細規格:

              特性@ 20ºC

              單位

              PVM-8

              PVM-10.6

              *特性波長λop

              μm

              8

              10.6

              探測率:

              at λpeak

              at λop

              cmHz1/2/W

               

              1.2E8

              6E7

               

              3E7

              1E7

              響應度(at λop*

              V·mm/W

              0.6

              0.1

              響應時間τ

              ns

              7

              1

              電阻

              Ω

              15-300

              10-150

              光學面積(矩形長×)

              mm x mm

              0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2

              工作溫度

              K

              300

              視場, F#

              Deg

              60, 0.5

              4、PVMI系列(2-12μm紅外光電探測器、倍增結構、光侵入式)

               

              特點:室溫下工作;無需偏置;響應時間短;無閃動噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動態范圍寬;大面積裝置;低成本;可根據客戶要求設計。

                 描述:PVMI-n(n表示*特性波長,單位是微米)系列的光電探測器是多重異質結紅外光電探測器,使用用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過半球透鏡(標準)或者半球透鏡(可選)進行光入。這些裝置工作在8~12微米的范圍內特別用于大范圍探測。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的變隙半導體HgCdZnTe優化摻雜面和改進的表面處理來獲得??梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器(不帶視窗)封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。

                 詳細規格:

              特性@ 20ºC

              單位

              PVMI-8

              PVMI-10.6

              *特性波長λop

              μm

              8

              10.6

              探測率:

              at λpeak

              at λop

              cmHz1/2/W

               

              6?108

              3?108

               

              2?108

              1?108

              響應度–at λop

              V×mm/W

              3

              0.5

              響應時間τ

              ns

              7

              1

              電阻

              Ω

              15-300

              10-150

              光學面積 (長 × 寬)

              mm× mm

              0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

              工作溫度

              K

              300

              視場, F#

              deg

              35, 1.65

              5、PC系列(2-12μm紅外光電導探測器)

              特點:室溫下工作;D*(10.6 µm)達到6*107 cmHz1/2/W;響應時間≤1ns;與快速邏輯元器件*兼容;使用方便;低成本;及時交貨;可根據客戶要求設計。

              描述:PC-n(n表示*特性波長,單位是微米)系列是高速、室溫工作的紅外光電導探測器。這些裝置在2~12微米范圍內的任意值可以達到*的性能。。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的變隙半導體HgCdZnTe(優化摻雜面和改進的表面處理)來獲得。用小型輕巧耐用的包裝封裝的。每個探測器都提供性能參數。探測器適用于外差探測,高頻輻射探測要求響應時間短并與快速元器件兼容,以及能夠與快速電子學匹配的高頻輻射。可以按客戶所定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。

              詳細規格:

              特性@ 20ºC

              單位

              PC-4

              PC-5

              PC-6

              PC-9

              PC-10.6

              *特性波λop

              µm

              4

              5

              6

              9

              10.6

              探測率:

              at ?λpeak,20kHz

              at λop, 20kHz

              cmHz1/2/W

              >4E9

              >2E9

              >2E9

              >1E9

              >6E8

              >3E8

              >6E9

              >2E7

               

              >1E7

              >4E6

              響應度-@λop

              Vmm/W

              >100

              >40

              >6

              >0.4

              >0.05

              響應時間τ

              ns

              <1000

              <500

              <200

              <2

              <1

              1/f噪聲拐點頻率

              kHz

              1-10

              1-10

              1-10

              1-10

              1-20

              有效面積(×)

              mm × mm

              0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;3×3;4×4

              偏置電流-寬度比*

              mA/mm

              1-10

              1-10

              1-10

              1-10

              1-20

              薄層電阻系數

              Ω/sqr

              300-1000

              200-400

              100-300

              50-150

              40-120

              視場, F#*

              deg

              60, 0.5

              6、PCI系列(2-12μm紅外光電導探測器、光入浸式)

               

              特點:室溫下工作;D*(10.6 µm)達到3*108cmHz1/2/W;響應時間≤1ns;動態范圍寬;與快速邏輯元器件*兼容;使用方便;低成本;及時交貨;可根據客戶要求設計。

              描述:PCI-n(n表示*特性波長,單位是微米)系列的電探測器是非冷卻紅外光電探測器,使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過半球透鏡(標準)或者半球透鏡(可選)進行光入。這些裝置在2~12µm范圍內的任意值可以達到*的性能。他們的高性能和穩定性通過開發的變隙(HgCdZnTe)半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得??梢园纯蛻羲ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。

              詳細規格:

              特性(@ 20ºC)

              單位

              PCI-4

              PCI-5

              PCI-6

              PCI-9

              PCI-10.6

              *特性波長λop

              µm

              4

              5

              6

              9

              10.6

              探測率:

              at λ? peak, 20kHz

              at λop, 20kHz

              cmHz1/2/W

               

              >1E10 >6E9

               

              >7E9

              >4E9

               

              >2E9

              >1E9

               

              >3E8

              >1E8

               

              >2E8

              >5E7

              響應度-@λop

              Vmm/W

              >600

              >300

              >60

              >3

              >2

              響應時間τ

              ns

              <1000

              <500

              <200

              <2

              <1

              1/f噪聲拐點頻率

              kHz

              1-10

              1-10

              1-10

              1-10

              1-20

              有效面積(長×寬)

              mm×mm

              0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2

              偏置電流-寬度比

              mA /mm

              1-2

              2-4

              3-10

              3-15

              5-20

              薄層電阻系數

              Ω/sqr

              300-1000

              200-400

              100-300

              50-150

              40-120

              視場, F#

              deg

              35,1.65

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