1. <li id="9fytn"><tr id="9fytn"></tr></li>
      <th id="9fytn"></th>

      1. <progress id="9fytn"><track id="9fytn"></track></progress>

        <button id="9fytn"></button>
        <button id="9fytn"></button>

          <li id="9fytn"><acronym id="9fytn"></acronym></li>
            1. 產品展示PRODUCTS

              您當前的位置:首頁 > 產品展示 > 點元光電探測器 > 光伏碲鎘汞HgCdTe PV(0.5um-11um) > PV-2TE-13vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器(0.5um-11um)

              vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器(0.5um-11um)

              vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器(0.5um-11um),波蘭VIGO公司是生產紅外探測器及配套偏置和前置放大電路的專業公司,該公司生產的紅外探測器,分制冷型(低溫工作)和非制冷型(室溫工作)兩大類,其中包括70多種型號。VIGO紅外探測器符合ISO9000標準質量體系,被廣泛用于激光預警、紅外探測與監控、輻射測溫、激光跟蹤與定位、激光識別、計量和光通訊等的研究與開發。
              產品時間:2016-08-25
              訪問量:442

              vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器(0.5um-11um)

              TE制冷光電探測器

              1、PV-2TE(2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷)

              特點:高性能的在2-12μm范圍,無須LN(液氮)制冷;快速響應;無閃動噪聲;使用方便;動態范圍寬;小巧,耐用可靠;低成本;及時交貨;可按客戶要求設計。

              描述:PV-2TE-n n表示*特性波長,單位是微米)系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。這些器件在211µm范圍內的任意值可以優化為zui高性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙(Hg,Cd,ZnTe半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗,并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨??梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器(0.5um-11um)

              詳細規格:

              特性(@ 20ºC

              單位

              PV-2TE-3

              PV-2TE-4

              PV-2TE-5

              PV-2TE-6

              PV-2TE-8

              PV-2TE-10.6

              *特性波長λop

              μm

              3

              4

              5

              6

              8

              10.6

              探測率:

              at λpeak

              at λop

              cmHz1/2/W

               

              ≥8?1010 ≥5?1010

               

              ≥1.5?1010

              ≥1?1010

               

              ≥8?109

              ≥5?109

               

              ≥4?109  ≥2?109

               

              ≥8?108  ≥4?108

               

              ≥3?108

              ≥1?108

              響應度

              A/W

              ≥1.2

              ≥1.3

              ≥1.3

              ≥1.2

              ≥1

              ≥0.7

              響應時間τ

              ns

              ≤15**

              ≤20**

              ≤20**

              ≤10**

              ≤7**

              ≤3**

              并聯電阻-光學面積

              Ω·cm 2

              ≥0.3

              ≥0.10

              ≥0.02

              ≥0.006

              ≥0.001

              ≥0.0001

              光學面積×

              或直徑  (圓形)

              mm x mm

              mm

              0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

              ø 0.025; ø 0.05; ø 0.1; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3

              工作溫度

              K

              220-240

              視場, F#

              deg

              60, 0.5

              2、PVI-2TE(2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷、光侵入式)

              特點:高性能的在2-12μm范圍,無須LN(液氮)制冷;快速響應;無閃動噪聲;使用方便;動態范圍寬;小巧,耐用可靠;低成本;及時交貨;可按客戶要求設計。

              描述:PVI-2TE-n n表示*特性波長,單位是微米)系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡(可選)進行光照入。這些器件在211µm范圍內的任意值可以優化為zui高性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙(Hg,Cd,ZnTe半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗,并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

              詳細規格:

              特性(@ 20ºC

              單位

              PVI-2TE-3

              PVI-2TE-4

              PVI-2TE-5

              PVI-2TE-6

              PVI-2TE-8

              PVI-2TE-10.6

              *特性波長λop

              μm

              3

              4

              5

              6

              8

              10.6

              探測率:

              at λpeak

              at λop

              cmHz1/2/W

               

              2?1011

              1.5?1010

               

              6?1010

              4?1010

               

              3?1010

              2?1010

               

              2?1010

              1?1010

               

              5?109

              2?109

               

              3?109

              1?109

              響應度

              A/W

              ≥1.2

              ≥1.3

              ≥1.3

              ≥1.2

              ≥1

              ≥0.7

              響應時間τ

              ns

              ≤15**

              ≤20**

              ≤20**

              ≤10**

              ≤7**

              ≤3**

              并聯電阻-光學面積

              Ω·cm 2

              ≥30

              ≥10

              ≥2

              ≥0.6

              ≥0.1

              ≥0.01

              光學面積×

              或直徑  (圓形)

              mm x mm

              mm

              0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

              ø0.2; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3

              工作溫度

              K

              220-240

              視場, F#

              deg

              35,1.65

              3、PVM-2TE(2-12μm紅外光電探測器、倍增結構、熱電制冷)

              特點:高性能的在2-12μm范圍,無須LN(液氮)制冷;快速響應;無閃動噪聲;使用方便;動態范圍寬;小巧,耐用可靠;低成本;及時交貨;可按客戶要求設計。

              描述:PV-2TE-n n表示*特性波長,單位是微米)系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。這些器件可以優化為更長波長,更大面積的更高性能器件。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙(Hg,Cd,ZnTe半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗,并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。

              詳細規格:

              特性@ 20ºC

              單位

              PVM-2TE-8

              PVM-2TE-10.6-2      

              *特性波長λop

              µm

              8

              10.6

              探測率:

              at λpeak

              at λop

              cmHz1/2/W

              ≥6?108

              ≥3?108

              ≥2?108

              ≥1?108

              響應度 – at λop*

              V x mm /W

              ≥2

              ≥0.5

              響應時間τ

              ns

              ≤7

              ≤3

              電阻

              Ω

              40-300

              30-200

              光學面積×

              mm x mm

              0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

              工作溫度*

              K

              220-240

              視場, F#*

              deg

              60, 0.5

              4、PVMI-2TE(2-12μm紅外光電探測器、倍增結構、熱電制冷、光侵入式)

              特點:高性能的長波長范圍,無須LN(液氮)制冷;快速響應;無閃動噪聲;使用方便;動態范圍寬;小巧,耐用可靠;低成本;及時交貨;可按客戶要求設計。

              描述:PVMI-2TE-n n表示*特性波長,單位是微米)系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡(可選)進行光照入。這些器件可以優化為更長波長,更大面積的更高性能器件。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙(Hg,Cd,ZnTe半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗,并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

              詳細規格:

              特性@ 20ºC

              單位

              PVMI-2TE-10.6

              *特性波長λop

              µm

              10.6

              探測率:

              at λpeak

              at λop

              cmHz1/2/W

              ≥2?109

              ≥1?109

              響應度 – at λop

              V·mm /W

              ≥7

              響應時間τ

              ns

              ≤3

              電阻*

              Ω

              30-200

              光學面積 (長×

              mm x mm

              0.1×0.1;0.25×0.25;0.5×0.5;1×1;2×2;

              工作溫度*

              K

              220-240

              視場, F#*

              deg

              35,1.65

              5、PC-2TE(2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷)

              特點:高性能在2-14μm范圍,無須LN(液氮)制冷;快速響應;使用方便;動態范圍寬;小巧,耐用可靠;低成本;及時交貨;可按客戶要求設計

              描述:PC-2TE-n n表示*特性波長,單位是微米)系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡(可選)進行光照入。這些設備在2~14µm范圍內的任意值可以優化為zui高性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙(Hg,Cd,ZnTe半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗,并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨??梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

              詳細規格:

              特性@ 20ºC

              單位

              PC-2TE-4  

              PC-2TE-5  

              PC-2TE-6  

              PC-2TE-9  

              PC-2TE-10.6  

              PC-2TE-12 

              *特性波長λop

              µm

              4

              5

              6

              9

              10.6

              12

              探測率:

              at ?λpeak, 20kHz

              at λop, 20kHz

              cmHz1/2/W

              >4E10 >2E10

              >2E10  >1E10

              >6E9

              >3E9

              >2E9 >8E8**

              >5E8

              >2.5E8**

              >4E8

              >1.5E8**

              響應度-atλop1x1 mm

              V/W

              >1000

              >500

              >70

              >5

              >3

              >1

              響應時間τ

              ns

              <4000

              <2000

              <1000

              <20

              <10

              <2

              1/f噪聲拐點頻率

              kHz

              1-10

              1-10

              1-10

              1-10

              1-20

              1-20

              有效面積, ( × )

              mm × mm

              0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

              偏置電流-寬度比*

              mA/mm

              1-2

              2-4

              4-8

              4-10

              5-15

              5-15

              薄層電阻系數

              Ω/sqr

              600-1500

              300-500

              200-400

              80-200

              50-150

              50-150

              視場, F#

              deg

              60, 0.5

              6、PCI-2TE(2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷、光侵入式)

              特點:高性能在2-14μm范圍,無須LN(液氮)制冷;快速響應;使用方便;與快速元器件*兼容;動態范圍寬;小巧,耐用可靠;低成本;及時交貨;可按客戶要求設計

              描述:PCI-2TE-n n表示*特性波長,單位是微米)系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡(可選)進行光照入。這些設備在2~14µm范圍內的任意值可以優化為zui高性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙(Hg,Cd,ZnTe半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗,并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。

              詳細規格:

              特性@ 20ºC

              單位

              PCI-2TE-4  

              PCI-2TE-5  

              PCI-2TE-6  

              PCI-2TE-9  

              PCI-2TE-10.6  

              PCI-2TE-12 

              *特性波長λop

              µm

              4

              5

              6

              9

              10.6

              12

              探測率:

              at λ? peak, 20kHz

              at λop, 20kHz

              cmHz1/2/W

              >1E11 >5E10

              >6E10

              >3E10

              >2E10 >1E10

              >9E9

              >4E9

              >5E9

              >2.5E9

              >4E9

              >1.5E9

              響應度- atλop1x1 mm

              Vmm/W

              >6000

              >3000

              >600

              >40

              >25

              >15

              響應時間τ

              ns

              <4000

              <2000

              <1000

              <20

              <10

              <2

              1/f噪聲拐點頻率

              kHz

              1-10

              1-10

              1-10

              1-10

              1-20

              1-20

              有效面積, (×)

              mm×mm

              0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

              偏置電流-寬度比*

              mA/mm

              0.050.3

              0.10.5

              0.30.8

              25

              520

              520

              薄層電阻系數

              Ω/sqr

              600-1500

              300-500

              200-400

              50-200

              50-150

              50-150

              視場, F#

              deg

              35, 1.65

                       

               

              留言框

              • 產品:

              • 您的單位:

              • 您的姓名:

              • 聯系電話:

              • 常用郵箱:

              • 省份:

              • 詳細地址:

              • 補充說明:

              • 驗證碼:

                請輸入計算結果(填寫阿拉伯數字),如:三加四=7

              1. <li id="9fytn"><tr id="9fytn"></tr></li>
                <th id="9fytn"></th>

                1. <progress id="9fytn"><track id="9fytn"></track></progress>

                  <button id="9fytn"></button>
                  <button id="9fytn"></button>

                    <li id="9fytn"><acronym id="9fytn"></acronym></li>
                      1. 重口sm一区二区三区视频_边摸边吃奶边做_128TV精品视频TV在线观看_50岁寡妇下面水多好紧