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            1. 產品展示PRODUCTS

              您當前的位置:首頁 > 產品展示 > 銦鎵砷短波焦平面探測器 > CLPT320×256InGaAs探測器 > LD-FPA-640x512CLPT中華立鼎銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片

              CLPT中華立鼎銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片

              CLPT中華立鼎銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術,尤其是在非制冷條件下的優化解決方案,CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCD與CMOS數碼相機銷售商的機械設計。
              產品時間:2021-12-03
              訪問量:1298

              CLPT中華立鼎銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片LD-FPA-640x512

               CLPT中華立鼎銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片LD-FPA-640x512此InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術,尤其是在非制冷條件下的優化解決方案,CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCD與CMOS數碼相機銷售商的機械設計。

              Features(特點)

              640*512陣列格式

              15/25um 象元間距

              Kovar metal一級制冷

              低暗電流

              高量子效率

              高操作性

              Applications(應用)

              近紅外成像

              超光譜

              秘密監察

              半導體檢測

              天文學和科學

              工業熱成像

              FPA-640*512說明

              參數

              單位

              min

              max

              工作溫度范圍

              -20

              +85

              儲存溫度范圍

              -40

              +85

              功耗

              mW

              ---

              325

              TEC 電流

              A

              ---

              1.8

              TEC 電壓

              V

              ---

              15.4

              FPA Characteristics(FPA特性)

              參數

              典型值

              條件

              光譜響應

              0.9-1.7um

              ---

              小像素的可操作性

              >99%

              636*508內的中心地區

              暗電流

              <0.2PA

              25℃,0.1V探測器偏壓

              量子效率

              >70%

              λ=1.0um-1.6um

              探測率

              ≥5*1011 jones

              25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益

              響應非均勻性

              <10%

              飽和度低于50%,25℃

              非線性(大偏差)

              <2%

              超過15%-85%全阱容量,低增益

              大像素率

              10MHz

              ---

              增益

              High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e-

              25℃

              TEC 制冷

              ΔT>70℃

              無需加載

              隨著技術的不斷革新,現CLPT公司也提供:

              1)CLPT中華立鼎制冷型銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,響應波段在1.2-2.2um范圍的320*256面陣探測器;

              2)CLPT320×256-K短波紅外探測器體積更小,質量更輕的320x256和640x512面陣探測


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