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            1. 產品展示PRODUCTS

              您當前的位置:首頁 > 產品展示 > 銦鎵砷短波焦平面探測器 > CLPT640×512InGaAs探測器 > LD-FPA-320×256-CCLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片

              CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片

              CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,此二維銦鉀砷面陣探測器的響應波段為900-1700nm,目前可做到320x256和640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合,同時采用LCC及Kovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。同時,我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。
              產品時間:2016-08-19
              訪問量:1096

              CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,此二維銦鉀砷面陣探測器的響應波段為900-1700nm,目前可做到320x256640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合,同時采用LCCKovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。同時,我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。

              Features(特點)

              Large Sensing Area大感光面

              High Responsitivity高響應率

              High Sensitivity高靈敏度

              High Shunt Resistance高阻抗

              Low Dark Current低暗電流

              High Dynamic Range高動態范圍

              Optical Powering視覺影像

               

               

               

              Applications(應用)

              Power Measurement功率測量

              IR Sensing紅外線測量

              Spectrography光譜分析

              Medical and Chemical Devices

              醫學和生化檢測

              Temperature Sensors溫度測量

              Light Detection and Ranging (LIDAR)

               

               

              1.1、FPA-320x256InGaAs Imager0.9um-1.7um

              CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,InGaAs焦平面陣列是應用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術,尤其是在非制冷條件下的優化解決方案,CLPT的核心技術是實現優良品質的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCDCMOS數碼相機制造商的機械設計。

              Features(特點)

              320*256 陣列格式

              30um 象元間距

              CLCC 封裝

              低暗電流

              高量子效率

              高可操作性

               

               

               

              Applications(應用)

              近紅外成像

              超光譜

              秘密監察

              半導體檢測

              天文學和科學

              工業熱成像

               

               

              zui大額定值

              參數

              單位

              zui小值

              zui大值

              工作溫度范圍

              -20

              85

              儲存溫度范圍

              -40

              85

              功耗

              mW

              ---

              175

              FPA特性

              參數

              典型值

              條件

              光譜響應

              0.9um-1.7um

              ---

              zui小像素的可操作性

              >99%

              318*254內的中心地區

              暗電流

              <0.4PA

              25,0.1V 探測器偏壓

              量子效率

              >70%

              λ=1.0um-1.6um

              探測率

              ≥5*1011Jones

              25, λ=1.55um,T=16ms,高增益

              響應非均勻性

              <10%

              飽和度低于50%,25

              非線性(zui大偏差)

              <2%

              超過10%-90%滿阱容量

              zui大像素率

              10MHz

              ---

              增益

              High:14.38uV/e-

              Low:0.77 uV/e-

              25

               

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